- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4412 > 25LC080CT-I/MNY (Microchip Technology)IC SRL EEPROM 1KX8 2.5V 8-TDFN PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 25LC080CT-I/MNY |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 9/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRL EEPROM 1KX8 2.5V 8-TDFN |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 5MHz，10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-WFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-TDFN（2x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1448 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 25LC080CT-I/MNYDKR |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页当前第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页
25XX080C/D
2.4
Write Enable ( WREN ) and Write
Disable ( WRDI )
The following is a list of conditions under which the
write enable latch will be reset:
The 25XX080C/D contains a write enable latch. See
Table 2-4 for the Write-Protect Functionality Matrix.
This latch must be set before any write operation will be
completed internally. The WREN instruction will set the
latch, and the WRDI will reset the latch.
FIGURE 2-4:
WRITE ENABLE SEQUENCE ( WREN )
CS
?
?
?
?
Power-up
WRDI instruction successfully executed
WRSR instruction successfully executed
WRITE instruction successfully executed
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
High-Impedance
SO
FIGURE 2-5:
WRITE DISABLE SEQUENCE ( WRDI )
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
0
0
0
0
0
1
1 0
0
High-Impedance
SO
? 2009 Microchip Technology Inc.
DS22151A-page 9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A3P1000-FG484T | IC FPGA 1KB FLASH 1M 484-FBGA |
| A1020B-2PQG100I | IC FPGA 2K GATES 100-PQFP IND |
| A1020B-2PQ100I | IC FPGA 2K GATES 100-PQFP IND |
| A42MX24-TQ176I | IC FPGA MX SGL CHIP 36K 176-TQFP |
| BR93L76RFV-WE2 | IC EEPROM 8KBIT 2MHZ 8SSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 25LC080D | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K SPI Bus Serial EEPROM |
| 25LC080D-E/MNY | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:8K SPI Bus Serial EEPROM |
| 25LC080D-E/MS | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC080D-E/P | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC080D-E/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 8K 1K X 8 32B PAGE 2.5V SER EE EXT RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。