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参数资料
| 型号： | 25LC1024T-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 14/34页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 1MBIT 20MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 25LC1024T-E/MFTR |
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25LC1024
2.8
PAGE ERASE
The Page Erase function will erase all bits (FFh) inside
the given page. A Write Enable ( WREN ) instruction
must be given prior to attempting a Page Erase. This
is done by setting CS low and then clocking out the
proper instruction into the 25LC1024. After all eight
bits of the instruction are transmitted, the CS must be
brought high to set the write enable latch.
The Page Erase function is entered by driving CS low,
followed by the instruction code (Figure 2-8), and
three address bytes. Any address inside the page to
be erased is a valid address.
CS must then be driven high after the last bit if the
address or the Page Erase will not execute. Once the
CS is driven high, the self-timed Page Erase cycle is
started. The WIP bit in the STATUS register can be
read to determine when the Page Erase cycle is
complete.
If a Page Erase function is given to an address that
has been protected by the Block Protect bits (BP0,
BP1) then the sequence will be aborted and no erase
will occur.
FIGURE 2-8:
CS
PAGE ERASE SEQUENCE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9 1 0 11
2 9 3 0 3 1
SCK
Instruction
24-bit Address
SI
0
1
0
0
0
0
1
0 23 22 21 20
2
1
0
High-Impedance
SO
DS22064D-page 14
? 2010 Microchip Technology Inc.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 25LC128-E/MF | IC EEPROM 128KBIT 10MHZ 8DFN |
| 25LC160/P | IC EEPROM 16KBIT 2MHZ 8DIP |
| 25LC160B-I/PG | IC EEPROM 16KBIT 10MHZ 8DIP |
| 25LC256T-E/MF | IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8DFN |
| 25LC320A-I/P | IC EEPROM 32KBIT 10MHZ 8DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 25LC1024T-I/MF | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128K x 8 - 2.5-5.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC1024T-I/P | 制造商:MICROCHIP 制造商全称:Microchip Technology 功能描述:1 Mbit SPI Bus Serial EEPROM |
| 25LC1024T-I/SM | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128K x 8 - 2.5-5.5V RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC1024T-I/SMG | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 128K x 8 - 2.5-5.5V Lead Free Package RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| 25LC1024T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 1024k128KX8 2.5V SER EE EXT, SOIC RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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