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参数资料
| 型号： | 25LC256T-E/ST |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 3/26页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 256KBIT 10MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 2,500 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 10MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
25AA256/25LC256
TABLE 1-2:
AC CHARACTERISTICS
AC CHARACTERISTICS
Industrial (I): T A = -40°C to +85°C
Automotive (E): T A = -40°C to +125°C
V CC = 1.8V to 5.5V
V CC = 2.5V to 5.5V
Param.
No.
1
Sym.
F CLK
Characteristic
Clock Frequency
Min.
—
—
Max.
10
5
Units
MHz
MHz
Test Conditions
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
—
3
MHz
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
2
T CSS
CS Setup Time
50
—
ns
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
100
150
—
—
ns
ns
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
3
T CSH
CS Hold Time
100
—
ns
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
200
250
—
—
ns
ns
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
4
5
T CSD
Tsu
CS Disable Time
Data Setup Time
50
10
—
—
ns
ns
—
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
20
30
—
—
ns
ns
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
6
T HD
Data Hold Time
20
—
ns
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
40
50
—
—
ns
ns
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
7
8
9
T R
T F
T HI
CLK Rise Time
CLK Fall Time
Clock High Time
—
—
50
100
100
100
—
—
ns
ns
ns
ns
(Note 1)
(Note 1)
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
150
—
ns
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
10
T LO
Clock Low Time
50
100
—
—
ns
ns
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
150
—
ns
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
11
12
13
14
15
T CLD
T CLE
T V
T HO
T DIS
Clock Delay Time
Clock Enable Time
Output Valid from Clock
Low
Output Hold Time
Output Disable Time
50
50
—
—
—
0
—
—
—
—
50
100
160
—
40
80
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
—
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
(Note 1)
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V (Note 1)
2.5V ≤ Vcc ≤ 4.5V (Note 1)
—
160
ns
1.8V ≤ Vcc ≤ 2.5V (Note 1)
16
T HS
HOLD Setup Time
20
—
ns
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
40
80
—
—
ns
ns
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
17
T HH
HOLD Hold Time
20
—
ns
4.5V ≤ Vcc ≤ 5.5V
40
80
—
—
ns
ns
2.5V ≤ Vcc < 4.5V
1.8V ≤ Vcc < 2.5V
Note 1: This parameter is periodically sampled and not 100% tested.
2: T WC begins on the rising edge of CS after a valid write sequence and ends when the internal write cycle
is complete.
3: This parameter is not tested but ensured by characterization. For endurance estimates in a specific
application, please consult the Total Endurance? Model which can be obtained from Microchip’s web site
at www.microchip.com.
? 2007 Microchip Technology Inc.
DS21822F-page 3
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参数描述 |
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