参数资料
| 型号： | 25LC512T-E/MF |
| 厂商： | Microchip Technology |
| 文件页数： | 17/36页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 20MHZ 8DFN |
| 标准包装： | 3,300 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 20MHz |
| 接口： | SPI 3 线串行 |
| 电源电压： | 2.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-S（6x5） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 25LC512T-E/MFTR |
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25LC512
2.11
DEEP POWER-DOWN MODE
Deep Power-Down mode of the 25LC512 is its lowest
power consumption state. The device will not respond
to any of the Read or Write commands while in Deep
Power-Down mode, and therefore it can be used as an
additional software write protection feature.
The Deep Power-Down mode is entered by driving CS
low, followed by the instruction code (Figure 2-11) onto
the SI line, followed by driving CS high.
If the CS pin is not driven high after the eighth bit of the
instruction code has been given, the device will not
execute Deep power-down. Once the CS line is driven
high there is a delay (T DP ) before the current settles to
its lowest consumption.
All instructions given during Deep Power-Down mode
are ignored except the Read Electronic Signature
command (RDID). The RDID command will release
the device from Deep power-down and outputs the
electronic signature on the SO pin, and then returns
the device to Standby mode after delay (T REL )
Deep Power-Down mode automatically releases at
device power-down. Once power is restored to the
device it will power-up in the Standby mode.
FIGURE 2-11:
DEEP POWER-DOWN SEQUENCE
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
SI
1
0
1
1
1
0
0
1
High-Impedance
SO
? 2010 Microchip Technology Inc.
DS22065C-page 17
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 25LC512T-I/SN | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512k 64KX8 2.5V SER EE IND RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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