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参数资料
型号： 298D476X0010P2T
厂商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Solid Tantalum Chip Capacitors MICROTAN⑩ Lead Frameless Molded
中文描述： 固体钽芯片电容器MICROTAN⑩铅无框模压
文件页数： 2/7页
文件大小： 162K
代理商： 298D476X0010P2T
Document Number: 40065
Revision: 22-Oct-07
For technical questions, contact: tantalum@vishay.com
www.vishay.com
39
298D
Solid Tantalum Chip Capacitors
M
ICRO
T
AN
TM
Lead Frameless Molded
Vishay Sprague
Note:
* Preliminary values, contact factory for availability.
MARKING
Note
* See Performance Characteristics tables, page 41.
RATINGS AND CASE CODES
μF
2.5 V
4 V
1.0
2.2
3.3
4.7
6.8
10
M
15
22
M
33
M
47
M
M
100
M*
P*
220
P
P
6.3 V
10 V
16 V
M
M
25 V
M
M
M
M
M
M
P
M
M
M
M
M
P*
P*
P*
P
P-case
Capacitance
Code
J
G
Voltage
Code
Polarity bar
M-case
Voltage Code
A
Polarity bar
Volts
4
6.3
10
16
20
25
Code
G
J
A
C
D
E
CAP, μF
33
47
68
100
150
220
Code
n
s
w
A
E
J
STANDARD RATINGS
CAPACITANCE
(μF)
CASE
CODE
PART
NUMBER
MAX DC
LEAKAGE
AT + 25 °C
(μA)
MAX DF
AT + 25 °C
(%)
MAX ESR
AT + 25 °C
100 kHz
(
Ω
)
MAX RIPPLE
100 kHz
I
(A)
Δ
C/C*
(%)
2.5 WVDC AT + 85 °C, SURGE = 3.3 V. . . 1.6 WVDC AT + 125 °C, SURGE = 2.1 V
298D476X02R5M2T
2.4
298D107X02R5M2T
25.0
298D227X02R5P2T
11.0
4 WVDC AT + 85 °C, SURGE = 5.2 V. . . 2.7 WVDC AT + 125 °C, SURGE = 3.4 V
298D106X0004M2T
0.5
298D226X0004M2T
0.9
298D336X0004M2T
2.6
298D476X0004M2T
3.8
298D107X0004P2T
4.0
298D227X0004P2T
17.6
6.3 WVDC AT + 85 °C, SURGE = 8 V. . . 4 WVDC AT + 125 °C, SURGE = 5 V
298D225X06R3M2T
0.5
298D475X06R3M2T
0.5
298D106X06R3M2T
0.6
298D226X06R3M2T
2.8
298D336X06R3M2T
4.2
298D476X06R3P2T
3.0
298D107X06R3P2T
6.3
10 WVDC AT + 85 °C, SURGE = 13 V. . . 7 WVDC AT + 125 °C, SURGE = 8 V
298D225X0010M2T
0.5
298D475X0010M2T
0.5
298D106X0010M2T
1.0
298D156X0010M2T
1.5
298D336X0010P2T
3.3
298D476X0010P2T
4.7
16 WVDC AT + 85 °C, SURGE = 20 V. . . 10 WVDC AT + 125 °C, SURGE = 12 V
298D105X0016M2T
0.5
298D225X0016M2T
0.5
298D475X0016M2T
0.8
25 WVDC AT + 85 °C, SURGE = 32 V. . . 17 WVDC AT + 125 °C, SURGE = 20 V
298D105X0025M2T
0.5
298D475X0025P2T
1.2
47
100
220
M
M
P
20
40
30
4.0
2.5
3.0
0.08
0.100
0.122
± 30
± 30
± 30
10
22
33
47
100
220
M
M
M
M
P
P
8.0
15
15
20
20
30
3.0
4.0
4.0
4.0
2.0
3.0
0.09
0.08
0.08
0.08
0.1
0.122
± 10
± 15
± 20
± 30
± 30
± 30
2.2
4.7
10
22
33
47
100
M
M
M
M
M
P
P
10
8.0
8.0
15
20
22
20
5.0
3.0
3.0
4.0
4.0
3.0
2.0
0.07
0.09
0.09
0.08
0.08
0.122
0.150
± 10
± 10
± 10
± 15
± 30
± 20
± 20
2.2
4.7
10
15
33
47
M
M
M
M
P
P
10
6.0
8.0
12
10
22
10
4.0
4.0
4.0
2.0
3.0
0.05
0.08
0.08
0.08
0.150
0.122
± 10
± 15
± 15
± 20
± 10
± 20
1.0
2.2
4.7
M
M
M
6.0
10
8.0
12.0
12.0
6.0
0.045
0.045
0.06
± 15
± 15
± 15
1.0
4.7
M
P
6.0
6.0
10.0
4.0
0.05
0.106
± 10
± 10
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PDF描述
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298D476X02R5M2T 功能描述:钽质电容器-固体SMD 47uF 2.5volts 20% M case MAP RoHS:否 制造商:AVX 电容:100 uF 电压额定值:20 V ESR: 容差:10 % 外壳代码 - in:2917 外壳代码 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商库存号:E Case 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 产品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封装:Bulk
298D476X06R3P2T 功能描述:钽质电容器-固体SMD 47uF 6.3volts 20% P case MAP RoHS:否 制造商:AVX 电容:100 uF 电压额定值:20 V ESR: 容差:10 % 外壳代码 - in:2917 外壳代码 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商库存号:E Case 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 产品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封装:Bulk
298D476X06R3R2T 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:TANTALUM CAP SINGLE LAYER
298D476X9004M2T 功能描述:钽质电容器-固体SMD 47uF 4volts 10% M case MAP RoHS:否 制造商:AVX 电容:100 uF 电压额定值:20 V ESR: 容差:10 % 外壳代码 - in:2917 外壳代码 - mm:7343 高度:4.1 mm 制造商库存号:E Case 工作温度范围:- 55 C to + 125 C 系列:TBM 产品:Tantalum Solid Low ESR Commercial Grade 封装:Bulk
298D476X96R3P2T 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:298D Series 47 uF 10 % 6.3 V Surface Mount Solid Tantalum Chip Capacitor
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