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参数资料
| 型号： | 29F022B-12 |
| 厂商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200万位[256K × 8]的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 27/46页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | 29F022B-12 |
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27
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
automatic erase starts. Device outputs "0" during
erasure and 1 after erasure on Q7.(Q6 is for toggle bit;
see toggle bit, DATA polling, timing waveform)
AUTOMATIC CHIP ERASE TIMING WAVEFORM
All data in chip are erased. External erase verification is
not required because data is erased automatically by
internal control circuit. Erasure completion can be
verified by DATA polling and toggle bit checking after
tCWC
tAS
tCEP
tDS tDH
Vcc 5V
CE
OE
Q0,Q1,
Q4(Note 1)
WE
A11~A17
tCEPH1
tAH
Q7
Command In
A0~A10
Command In
Command In
Command In
Command In
Command In
tAETC
DATA polling
2AAH
555H
555H
Command #AAH
(Q0~Q7)
Command #55H
Command #80H
Notes:
(1). Q6:Toggle bit, Q5:Timing-limit bit, Q3: Time-out bit, Q2: Toggle bit
555H
2AAH
555H
Command In
Command In
Command #AAH
Command In
Command In
Command #55H
Command In
Command In
Command #10H
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 29F022B-120 | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 29F022B-120 | 制造商:MCNIX 制造商全称:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 29F022B-55 | 制造商:MCNIX 制造商全称:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
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| 29F022T-12 | 制造商:MCNIX 制造商全称:Macronix International 功能描述:2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
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