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参数资料
| 型号： | 29F022B-55 |
| 厂商： | Macronix International Co., Ltd. |
| 英文描述： | 2M-BIT[256K x 8]CMOS FLASH MEMORY |
| 中文描述： | 200万位[256K × 8]的CMOS闪存 |
| 文件页数： | 29/46页 |
| 文件大小： | 606K |
| 代理商： | 29F022B-55 |
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29
P/N:PM0556
REV. 1.3, NOV. 11, 2002
MX29F022/022NT/B
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
Sector data indicated by A13 to A17 are erased. Exter-
nal erase verification is not required because data are
erased automatically by internal control circuit. Erasure
completion can be verified by DATA polling and toggle bit
checking after automatic erase starts. Device outputs 0
during erasure and 1 after erasure on Q7.(Q6 is for toggle
bit; see toggle bit, DATA polling, timing waveform)
AUTOMATIC SECTOR ERASE TIMING WAVEFORM
tAH
Sector
Address0
555H
2AAH
2AAH
555H
555H
Sector
Address1
Sector
Addressn
Vcc 5V
CE
OE
Q0,Q1,
Q4(Note 1)
WE
A13~A17
Q7
A0~A10
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command
In
Command #30H
Command #30H
Command #30H
Command #55H
Command #AAH
Command #80H
Command #55H
Command #AAH
(Q0~Q7)
Command
In
Command
In
tDH
tDS
tCEP
tCWC
tAETB
tBAL
DATA polling
tCEPH1
tAS
Notes:
(1). Q6:Toggle bit, Q5:Timing-limit bit, Q3: Time-out bit, Q2: Toggle bit
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PDF描述 |
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参数描述 |
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