| 型号: | 2EZ19D10TR |
| 厂商: | MICROSEMI CORP-SCOTTSDALE |
| 元件分类: | 齐纳二极管 |
| 英文描述: | 20 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| 封装: | PLASTIC, DO-41, 2 PIN |
| 文件页数: | 1/3页 |
| 文件大小: | 157K |
| 代理商: | 2EZ19D10TR |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2EZ7.5D2TR | 8.2 V, 3 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-204AL |
| 200HFR20WVPBF | 200 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 20CTQ045-010PBF | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 22CGQ045UPBF | 35 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 25CTQ045-003PBF | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2EZ19D2/TR12 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2.0W, VZ = 19V, ? 2% - Tape and Reel |
| 2EZ19D2/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:2.0W, VZ = 19V, ? 2% - Tape and Reel 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 2W 19V 2% DO-41 |
| 2EZ19D2E3/TR12 | 功能描述:Zener Diode 19V 2W DO-204AL, DO-41, Axial 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷(TR) 零件状态:有效 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):19V 容差:±2% 功率 - 最大值:2W 阻抗(最大值)(Zzt):11 欧姆 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 14.4V 不同 If 时的电压 - 正向(Vf):1.2V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 150°C 安装类型:通孔 封装/外壳:DO-204AL,DO-41,轴向 供应商器件封装:DO-204AL(DO-41) 标准包装:4,000 |
| 2EZ19D2E3/TR8 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:DIODE ZENER 2W 19V 2% DO-41 |
| 2EZ19D5 | 功能描述:DIODE ZENER 19V 2W DO-41 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳 系列:- 标准包装:1 系列:- 电压 - 齐纳(标称)(Vz):36V 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):900mV @ 10mA 电流 - 在 Vr 时反向漏电:100nA @ 27V 容差:±5% 功率 - 最大:200mW 阻抗(最大)(Zzt):70 欧姆 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商设备封装:SOT-323 包装:剪切带 (CT) 工作温度:-65°C ~ 150°C 产品目录页面:1585 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT |