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参数资料
| 型号： | 2MBI200U4H-170 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 300 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 447K |
| 代理商： | 2MBI200U4H-170 |
H04-004-03a
MS5F6136
13
9
VGE=0V, f= 1MHz, Tj= 25°C
Vcc=900V
，
Ic=200A
，
Tj= 25°C
Capacitance vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Dynamic Gate charge (typ.)
Tj= 25°C / chip
VGE=15V / chip
Tj=25°C / chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Tj= 125°C/ chip
Collector current vs. Collector-Emitter voltage (typ.)
Collector-Emitter voltage vs. Gate-Emitter voltage (typ.)
0
100
200
300
400
500
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V 15V
12V
10V
8V
0
100
200
300
400
500
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
VGE=20V15V
12V
10V
8V
0
100
200
300
400
500
0
1
2
3
4
5
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Tj=125°C
Tj=25°C
0
2
4
6
8
10
5
10
15
20
25
Gate-Emitter voltage : VGE [V]
C
Ic=400A
Ic=200A
Ic=100A
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0
10
20
30
Collector-Emitter voltage : VCE [V]
C
Cies
Coes
Cres
0
100
200
300
400
500
600
700
Gate charge : Qg [nC]
C
G
VGE
VCE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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