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参数资料
| 型号： | 2MBI300U4H-120 |
| 厂商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分类： | IGBT 晶体管 |
| 英文描述： | IGBT MODULE |
| 中文描述： | 400 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封装： | MODULE-7 |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 445K |
| 代理商： | 2MBI300U4H-120 |
H04-004-03a
MS5F6037
13
10
Switching loss vs. Gate resistance (typ.)
Vcc=600V, Ic=300A, VGE=±15V, Tj=125
o
C
Reverse bias safe operating area (max.)
+VGE=15V, -VGE <= 15V, RG >= 2.2
Ω
,
Tj <= 125
o
C
Tj=25
o
C
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=2.2
Ω
Switching loss vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, Ic=300A, VGE=±15V,
Switching time vs. Gate resistance (typ.)
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=2.2
Ω
, Tj=25
o
C
Switching time vs. Collector current (typ.)
Vcc=600V, VGE=±15V, RG=2.2
Ω
, Tj=125
o
C
10
100
1000
10000
0
100
200
300
400
500
600
Collector current : Ic [ A ]
ton
tr
toff
tf
S
10
100
1000
10000
0
100
200
Collector current : Ic [ A ]
300
400
500
600
tf
tr
toff
ton
S
10
100
1000
10000
0.1
1.0
10.0
100.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
toff
tr
ton
S
tf
0
10
20
30
40
50
0
100
200
Collector current : Ic [ A ]
300
400
500
600
Eoff(125
o
C)
S
C)
Err(125
o
C)
Eon(125
o
C)
Eon(25
o
C)
Err(25
o
C)
0
10
20
30
40
50
60
70
0.1
1.0
10.0
100.0
Gate resistance : RG [
Ω
]
S
Eon
Eoff
Err
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
400
Collector-Emitter voltage : VCE [ V ]
800
1200
1600
C
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PDF描述 |
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