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参数资料
| 型号： | 2N1100 |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 15 A, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-36 |
| 封装： | TO-36, 2 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | 2N1100 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N174 | 15 A, 70 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-36 |
| 2N174 | 15 A, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-36 |
| 2N1890S | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1711 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1890 | 500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N1101 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-22 |
| 2N1102 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 25V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-22 |
| 2N111 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Integrated N-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode |
| 2N1114 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-5 |
| 2N1115 | 制造商:General Electric Company 功能描述: |
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