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参数资料
| 型号： | 2N1479 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 1500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 101K |
| 代理商： | 2N1479 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1481 | 1500 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1501 | 3.5 A, 40 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR |
| 2N2660 | 3 A, 70 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR |
| 2N1547 | 5 A, 50 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N1136B | 6 A, 100 V, PNP, Ge, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N1480 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1481 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1482 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1483 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 40V 3A 3PIN TO-8 - Bulk |
| 2N1483A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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