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参数资料
| 型号： | 2N1479 |
| 厂商： | MICROSEMI CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 28K |
| 代理商： | 2N1479 |
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
03/98 REV: C
1-800-446-1158 / (978)-794-1666 / (978) Fax: (978) 689-0803
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MAXIMUM RATINGS
Ratings
Symbol
2N1479
2N1481
2N1480
2N1482
Units
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
55
Vdc
Collector-Base Voltage
VCBO
60
100
Vdc
Emitter-Base Voltage
VEBO
12
Vdc
Collector Current
IC
1.5
Adc
Base-Current
IB
1.0
Adc
Total Power Dissipation @ TA = 25
0C
PT
1.0
W
Operating & Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
-65 to +200
0C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Symbol
Max.
Unit
Thermal Resistance, Junction-to-Case
RθJC
35
0C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
0C unless otherwise noted)
Characteristics
Symbol
Min.
Max.
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector-Emitter Breakdown Voltage
IC = 50 mAdc
2N1479, 2N1481
2N1480, 2N1482
V(BR)CEO
40
55
Vdc
Collector-Emitter Breakdown Voltage
VEB = 1.5 Vdc, IC = 0.25 mAdc
2N1479, 2N1481
VEB = 1.5 Vdc, IC = 0.25 mAdc
2N1480, 2N1482
V(BR)CEX
60
100
Vdc
Collector-Base Cutoff Current
VCB = 30 Vdc
2N1479, 2N1481
VCB = 50 Vdc
2N1480, 2N1482
ICBO
5.0
Adc
Emitter-Base Cutoff Current
VEB = 12 Vdc
IEBO
10
Adc
TECHNICAL DATA
TO-5
2N1479 JAN, JTX, JTXV
2N1480 JAN, JTX, JTXV
2N1481 JAN, JTX, JTXV
2N1482 JAN, JTX, JTXV
Processed per MIL-PRF-19500/207
NPN SILICON MEDIUM-POWER TRANSISTOR
MIL-PRF
QPL
DEVICES
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N1481 | 1500 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1480 | 1500 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1482 | 1500 mA, 55 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1481 | 1.5 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N1483 | 3 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N1480 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1481 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1482 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN SS Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N1483 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 40V 3A 3PIN TO-8 - Bulk |
| 2N1483A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-8 |
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