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参数资料
| 型号： | 2N189 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封装： | TO-39, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2N189 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2800 | 800 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2375 | 41 A, 100 V, 0.055 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 2390 | 12 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220 |
| 2SC948 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
| 2SK113 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N1890 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN TRANSISTOR TO-5 LAW - Bulk |
| 2N1890S | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 60V 0.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N1891 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
| 2N1892 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | 300MA I(C) | TO-5 |
| 2N1893 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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