- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33217 > 2N2217 0.8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N2217 |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 0.8 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2N2217 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2218AX | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N2218A | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2218A | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2218A | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N2218LEADFREE | 800 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2218 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 30V 0.8A 3PIN TO-39 - Bulk |
| 2N2218_1 | 制造商:MICROSEMI 制造商全称:Microsemi Corporation 功能描述:NPN-SWITCHING SILICON TRANSISTOR |
| 2N2218-2N2219 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH-SPEED SWITCHES |
| 2N2218A | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2218AJANTXV | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 3-Pin TO-39 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。