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参数资料
| 型号： | 2N2219A{AMMOPAK} |
| 厂商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | 2N2219A{AMMOPAK} |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2219A-BP | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219AHR | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219AT1 | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2219ALE1 | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2219A | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2219A-B | 功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219A-BP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219ACG | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| 2N2219AE3 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述: |
| 2N2219AHR | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORNPN500MA LVCEO=40VOLTSTO-39 SOLDER DI - Bulk |
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