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参数资料
| 型号： | 2N2219A |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 800 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封装： | TO-39, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 109K |
| 代理商： | 2N2219A |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2219 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2222AUB | 800 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2270 | 1000 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2273 | 100 mA, 15 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2303 | 500 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2219A | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-5 |
| 2N2219A_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:HIGH SPEED SWITCHES |
| 2N2219A_11 | 制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:SMALL SIGNAL BIPOLAR NPN SILICON |
| 2N2219A-B | 功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2219A-BP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 800mA 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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