| 型号: | 2N2904LEADFREE |
| 厂商: | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类: | 小信号晶体管 |
| 英文描述: | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 封装: | TO-39, 3 PIN |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 59K |
| 代理商: | 2N2904LEADFREE |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2905 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2905ACSM-QR-B | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2905ACSMG4 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2905ACSM-JQR-A | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N2905ACSM-JQR | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2904U | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N2904U1 | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR |
| 2N2905 | 功能描述:两极晶体管 - BJT USE 511-2N2905A TO-39 PNP GEN PUR SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2905/A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PNP Switching Transistors |
| 2N2905_12 | 制造商:COMSET 制造商全称:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR |