- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录33224 > 2N2920LEADFREE (CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP) 30 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N2920LEADFREE |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-78 |
| 封装： | HERMETICALLY SEALED, METAL PACKAGE-6 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 145K |
| 代理商： | 2N2920LEADFREE |
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C)
SYMBOL
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
60
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6.0
V
Collector Current
IC
30
mA
Power Dissipation (One Die)
PD
300
mW
Power Dissipation (Both Die)
PD
500
mW
Power Dissipation (One Die, TC=25°C)
PD
750
mW
Power Dissipation (Both Die, TC=25°C)
PD
1500
mW
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
-65 to +200
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
VCB=45V
2.0
nA
ICEO
VCE=5.0V
2.0
nA
IEBO
VEB=5.0V
2.0
nA
BVCBO
IC=10A
60
V
BVCEO
IC=10mA
60
V
BVEBO
IE=10A
6.0
V
VCE(SAT)
IC=1.0mA, IB=0.1mA
0.35
V
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=100A
0.70
V
hFE
VCE=5.0V, IC=10A
150
600
hFE
VCE=5.0V, IC=10A, TA= -55°C
40
hFE
VCE=5.0V, IC=100A
225
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0mA
300
fT
VCE=5.0V, IC=500A, f=20MHz
60
MHz
2N2920
NPN SILICON
DUAL TRANSISTORS
JEDEC TO-78 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (22-February 2007)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR
2N2920 is a silicon NPN dual transistor utilizing
two individual chips mounted in a hermetically
sealed metal case designed for differential
amplifier applications.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2920 | 30 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-99 |
| 2N2923 | 100 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N2926 | 100 mA, 18 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3859 | 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3708 | 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2920U | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 60V 0.03A Case U 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:NPN DUAL TRANSISTORS U LAW - Bulk |
| 2N2920UJANTX | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:U |
| 2N2923 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2924 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N2925 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。