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参数资料
| 型号： | 2N2946 |
| 厂商： | SOLID STATE DEVICES INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 100 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-46 |
| 封装： | TO-46, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 102K |
| 代理商： | 2N2946 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N2993 | 1 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3011 | 200 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3011 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3012 | 200 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N2946A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 3-Pin TO-46 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 35V 0.1A 3PIN TO-46 - Bulk |
| 2N2946AJANTX | 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 3-Pin TO-46 |
| 2N2946AJANTXV | 制造商:Semicoa Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 35V 0.1A 3-Pin TO-46 |
| 2N2946AUB | 功能描述:TRANS PNP 35V 0.1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:100mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:35V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:- 电流 - 集电极截止（最大值）:10μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 1mA，500mV 功率 - 最大值:400mW 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD，无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 |
| 2N2946JANTXACCZK | 制造商:TCY 功能描述:2N2946 |
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