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参数资料
| 型号： | 2N3010 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封装： | TO-18, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | 2N3010 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N744 | 200 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N709 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3010 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3546 | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2368 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3011 | 制造商: 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:All American Misc. 功能描述: |
| 2N3012 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3012CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 |
| 2N3013 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3014 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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