型号: | 2N3012CSM |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 200 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC1-3 |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 10K |
代理商: | 2N3012CSM |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
2N3014 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N3014 | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-52 |
2N914 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N709 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N706A | NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
2N3013 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3014 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Fast SW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3015 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
2N3016 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 1A 3PIN TO-5 - Bulk |
2N3017 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 50V 5A 3PIN TO-5 - Bulk |