- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录31610 > 2N3035 (ADVANCED SEMICONDUCTOR INC) 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N3035 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 封装： | TO-18, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/1页 |
| 文件大小： | 68K |
| 代理商： | 2N3035 |
!
°°°°
!"#$%
& '%
& '%
θθθθ
(%)"
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3053E4 | 700 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3054 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2N3055S | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3 |
| 2N3072 | 500 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3120 | 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3036 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3036L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.2A I(C) | TO-5 |
| 2N304 | 制造商:TI 功能描述:2N304 |
| 2N3043 | 制造商:MOTOROLA 制造商全称:Motorola, Inc 功能描述:DUAL AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N3043/78 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 45V V(BR)CEO | 30MA I(C) | FP |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。