型号: | 2N3053SMD05R4 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 700 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
封装: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD0.5, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 11K |
代理商: | 2N3053SMD05R4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N3053SMD05 | 700 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-276AA |
2N3053 | 700 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3054 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
2N3054 | 4 A, 55 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-66 |
2N3055R1 | 15 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N3054 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Silicon Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3054 | 制造商:NTE Electronics 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR |
2N3054A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANSISTOR:POWER BIPOLAR (>1W) |
2N3055 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3055 | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-3 |