型号: | 2N3107G4 |
厂商: | SEMELAB LTD |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
封装: | HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 11K |
代理商: | 2N3107G4 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N3107 | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
2N3108 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N3114CSMG4 | 150 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2N3118 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
2N3135 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N3108 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3109 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N311 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-43 |
2N3110 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |