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参数资料
| 型号： | 2N3108 |
| 厂商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | 2N3108 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N498 | 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3503 | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2195 | 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N722 | 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2865 | VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3109 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N311 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 15V V(BR)CEO | TO-43 |
| 2N3110 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3114 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN High Volt RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3114CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
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