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参数资料
| 型号： | 2N3114 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 150 mA, 150 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 89K |
| 代理商： | 2N3114 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3118 | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3133 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N3135 | 600 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3137 | Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3172.MOD | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3114CSM | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed LCC1 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability Applications |
| 2N3114CSM_09 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL NPN TRANSISTOR |
| 2N3115 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3116 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3117 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Low Lvl SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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