| 型号: | 2N3411DCSM |
| 厂商: | SEMELAB LTD |
| 元件分类: | 功率晶体管 |
| 英文描述: | 0.5 A, 30 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, MO-041BB |
| 封装: | HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC2-6 |
| 文件页数: | 1/1页 |
| 文件大小: | 10K |
| 代理商: | 2N3411DCSM |

相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3415 | 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-98 |
| 2N3416J18Z | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3416D75Z | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3416D74Z | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3417J18Z | 500 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3414 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR |
| 2N3415 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 500mA BULK HFE/540 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3415 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| 2N3415_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier |
| 2N3415_D26Z | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |