参数资料
型号: 2N3414
厂商: CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: NPN SILICON TRANSISTOR
中文描述: 500 mA, 25 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装: TO-92, 3 PIN
文件页数: 1/1页
文件大小: 58K
代理商: 2N3414
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
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PDF描述
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参数描述
2N3415 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 25V 500mA BULK HFE/540 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3415 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:RF Bipolar Transistor
2N3415_01 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN General Purpose Amplifier
2N3415_D26Z 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3415_D26Z_Q 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2