型号: | 2N3503 |
厂商: | SEMICOA CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
封装: | TO-39, 3 PIN |
文件页数: | 1/1页 |
文件大小: | 105K |
代理商: | 2N3503 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N3504 | 600 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N3503 | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N4029 | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N4030 | 1000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
2N4235 | 3000 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N3504 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3505 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3506 | 制造商:Motorola 功能描述:3506 MOT PULL N5F3B |
2N3506_02 | 制造商:SEMICOA 制造商全称:SEMICOA 功能描述:Silicon NPN Transistor |
2N3506A | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT NPN 40V 3A 3PIN TO-39 - Bulk |