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参数资料
| 型号： | 2N3659 |
| 厂商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 170 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | 2N3659 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N4863 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-66 |
| 2N1616A | 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-61 |
| 2N1919 | 18 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N366 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50MA I(C) | TO-22VAR |
| 2N3660 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 30V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3661 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3662 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98 |
| 2N3663 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
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