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参数资料
| 型号： | 2N3660 |
| 厂商： | SEMITRONICS CORP |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
| 封装： | TO-5, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 474K |
| 代理商： | 2N3660 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N2332 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N2187 | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N5150 | Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3420 | 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-5 |
| 2N2658 | 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3661 | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 50V 1.5A 3PIN TO-5 - Bulk |
| 2N3662 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-98 |
| 2N3663 | 功能描述:射频双极小信号晶体管 NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:NPN 最大工作频率:7000 MHz 集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V 发射极 - 基极电压 VEBO:2 V 集电极连续电流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集电极/Base Gain hfe Min: 最大工作温度:+ 150 C 封装 / 箱体:SOT-223 封装:Reel |
| 2N3663_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:NPN RF Transistor |
| 2N3663_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN RF 12V 50mA BULK RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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