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参数资料
| 型号： | 2N3665 |
| 厂商： | ADVANCED SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分类： | 功率晶体管 |
| 英文描述： | 1 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 封装： | TO-39, 3 PIN |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | 2N3665 |
IPN= 0258354 0000058 404
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3675 | 3 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3636 | 1000 mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3507 | 3000 mA, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3496 | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3496 | 100 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3666 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N3667 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 15A I(C) | TO-3 |
| 2N3668 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON CONTROLLED RECTIFIER 16AMPS 220 THRU 800 VOLTS JEDEC TO-3 CASE |
| 2N3669 | 功能描述:SCR 16A 200V Scr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
| 2N3670 | 功能描述:SCR 16A 400V Scr RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 最大转折电流 IBO:480 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:600 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:5 uA 开启状态 RMS 电流 (It RMS): 正向电压下降:1.6 V 栅触发电压 (Vgt):1.3 V 最大栅极峰值反向电压:5 V 栅触发电流 (Igt):35 mA 保持电流（Ih 最大值）:75 mA 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220 封装:Tube |
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