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参数资料
| 型号： | 2N3702D75Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 289K |
| 代理商： | 2N3702D75Z |
TO-92 Tape and Reel Data, continued
September 1999, Rev. B
TO-92 Reeling Style
Configuration: Figure 2.0
Style “A”, D26Z, D70Z (s/h)
Machine Option “A” (H)
Style “E”, D27Z, D71Z (s/h)
Machine Option “E” (J)
FIRST WIRE OFF IS EMITTER
ADHESIVE TAPE IS ON THE TOP SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON BOTTOM
ORDER STYLE
D75Z (P)
FIRST WIRE OFF IS COLLECTOR
ADHESIVE TAPE IS ON THE TOP SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON TOP
ORDER STYLE
D74Z (M)
TO-92 Radial Ammo Packaging
Configuration: Figure 3.0
FIRST WIRE OFF IS EMITTER (ON PKG. 92)
ADHESIVE TAPE IS ON BOTTOM SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON BOTTOM
FIRST WIRE OFF IS COLLECTOR (ON PKG. 92)
ADHESIVE TAPE IS ON BOTTOM SIDE
FLAT OF TRANSISTOR IS ON TOP
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3702D27Z | 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3702 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3703N | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| A8T3702 | 200 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| A8T3703 | 200 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3703 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -30V -500mA BULK HFE/150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3703 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -30V -500mA Bulk sistors HFE/150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3703_02 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
| 2N3703_Q | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3704 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/300 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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