型号: | 2N3704/J05Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 719K |
代理商: | 2N3704/J05Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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2N6718/D27Z | 1000 mA, 100 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
2N6729/D10Z | 1000 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
2N6716/D10Z | 1000 mA, 60 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-237 |
2N3302 | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
2N4400/D74Z | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N3705 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 30V 800mA BULK HFE/150 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3705 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 |
2N3706 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 800mA BULK HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3707 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3708 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |