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参数资料
| 型号： | 2N3704D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 500 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 527K |
| 代理商： | 2N3704D74Z |
2N3704
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Electrical Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Max
Units
V(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
IC = 10 mA, IB = 030V
V(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = 100
A, I
E = 0
50
V
V(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = 100
A, I
C = 0
5.0
V
ICBO
Collector Cutoff Current
VCB = 20 V, IE = 0
100
nA
IEBO
Emitter Cutoff Current
VEB = 3.0 V, IC = 0
100
nA
ON CHARACTERISTICS*
hFE
DC Current Gain
VCE = 2.0 V, IC = 50 mA
100
300
VBE(on)
Base-Emitter ON Voltage
VCE = 2.0 V, IC = 100 mA
0.5
1.0
V
VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 100 mA, IB = 5.0 mA
0.6
V
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS
Cob
Output Capacitance
VCB = 10 V, f = 1.0 MHz
12
pF
fT
Current Gain - Bandwidth Product
IC = 50 mA, VCE = 2.0 V,
100
MHz
*Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 s, Duty Cycle ≤ 2.0%
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PDF描述 |
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| 2N3705 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 |
| 2N3706 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 20V 800mA BULK HFE/800 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3707 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3708 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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