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参数资料
| 型号： | 2N3707 |
| 厂商： | TEXAS INSTRUMENTS INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | 2N3707 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| A8T3708 | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| A8T3710 | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| A5T3710 | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| A5T3711 | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| A5T3709 | 30 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3708 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3708 LEADFREE | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS sistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3709 | 制造商:MICRO-ELECTRONICS 制造商全称:Micro Electronics 功能描述:NPN/PNP SILICON AF SMALL SIGNAL TRANSISTORS |
| 2N3710 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3711 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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