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参数资料
| 型号： | 2N3798 |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 50 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | 2N3798 |
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA
Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3798 | 50 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
| 2N3822 | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N3824 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-72 |
| 2N3830 | 1200 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-205AD |
| 2N3866A | UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3798A | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
| 2N3799 | 功能描述:两极晶体管 - BJT Low Noise Ampl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3799A | 制造商:NJSEMI 制造商全称:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS |
| 2N3799X | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:PNP, LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTOR |
| 2N3799X_09 | 制造商:SEME-LAB 制造商全称:Seme LAB 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL PNP TRANSISTOR |
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