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参数资料
| 型号： | 2N3903D26Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 578K |
| 代理商： | 2N3903D26Z |
2N3903
NPN General Purpose Amplifier
2N3903
This device is designed for use as general purpose amplifiers
and switches requiring collector currents to 100 mA.
Absolute Maximum Ratings*
TA = 25°C unless otherwise noted
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES:
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Value
Units
VCEO
Collector-Emitter Voltage
40
V
VCBO
Collector-Base Voltage
60
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
6.0
V
IC
Collector Current - Continuous
200
mA
TJ, Tstg
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
°C
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N3903
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
°C/W
C
B
E
TO-92
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
2N3903, Rev A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3903 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3904-A | 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4403-A | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3904DCSM-JQR-A | 200 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
| 2N3904DCSM-JQR | 200 mA, 60 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MO-041BB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3903RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904 J05Z | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk |
| 2N3904(TE2,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2N3904,116 | 功能描述:TRANS NPN SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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