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参数资料
| 型号： | 2N3904 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N3904 |
2002. 9. 12
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N3904
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 1
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)
@VCE=30V, VEB=3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.
Low Collector Output Capacitance
: Cob=4pF(Max.) @VCB=5V.
Complementary to 2N3906.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
TO-92
DIM MILLIMETERS
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
14.00 0.50
0.55 MAX
2.30
D
1
2 3
B
A
J
K
G
H
F
L
E
C
E
C
M
N
0.45 MAX
M
1.00
N
1. EMITTER
3. COLLECTOR
2. BASE
+_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
200
mA
Base Current
IB
50
mA
Collector Power
Dissipation
Ta=25
PC
625
mW
Tc=25
1.5
W
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| 2N3904,412 | 功能描述:两极晶体管 - BJT TRANS SW BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904 | 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 250MHZ |
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