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参数资料
型号： 2N3904T93
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封装： SC-43, 3 PIN
文件页数： 1/5页
文件大小： 168K
代理商： 2N3904T93
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904
Transistors
Rev.A
1/4
NPN General Purpose Transistor
UMT3904 / SST3904 / MMST3904 / 2N3904
Features
1) BVCEO > 40V (IC = 1mA)
2) Complements the UMT3906 / SST3906 / MMST3906
/ 2N3906.
Package, marking and packaging specifications
Part No.
Packaging type
Marking
Code
Basic ordering unit
(pieces)
UMT3904
UMT3
R1A
T106
3000
SST3904
SST3
R1A
T116
3000
MMST3904
SMT3
R1A
T146
3000
TO-92
-
T93
3000
2N3904
Absolute maximum ratings (Ta = 25
°C)
2N3904
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector
power
dissipation
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
VCBO
VCEO
VEBO
IC
Tj
Tstg
Limits
60
40
6
0.2
0.35
150
55 to +150
Unit
V
A
W
PC
0.2
0.3
°C
When mounted on a 7 x 5 x 0.6 mm ceramic board.
SST3904, MMST3904
UMT3904,
SST3904,
MMST3904
External dimensions (Unit : mm)
UMT3904
SST3904
MMST3904
2N3904
0~0.1
0.2Min.
2.4
±
0.2
1.3
0.95
0.45±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
2.8
±
0.2
1.6
0.3
~
0.6
1.1
0.8±0.1
0.15
0.4
2.9±0.2
1.9±0.2
0.95 0.95
+
0.2 0.1
0.1
+0.2
+0.1
0.06
+0.1
0.05
(2)
(1)
(3)
0~0.1
(2)
(1)
(3)
0.1
~
0.4
2.1
±
0.1
1.25
±
0.1
0.9±0.1
0.2
0.7±0.1
0.15±0.05
0.3
2.0±0.2
1.3±0.1
0.65 0.65
+0.1
0
4.8
±
0.2
(12.7Min.)
4.8±0.2
3.7±0.2
5
0.45±0.1
2.3
0.5 +0.15
0.05
2.5 +0.3
0.1
(1)
(2)
(3)
All terminals have same dimensions
ROHM : UMT3
EIAJ : SC-70
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SST3
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : SMT3
EIAJ : SC-59
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
ROHM : TO-92
EIAJ : SC-43
(1) Emitter
(2) Base
(3) Collector
2.5Min.
Electrical characteristics (Ta = 25
°C)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICES
IEBO
60
40
6
-
50
V
nA
IC = 10
A
IC = 1mA
IE = 10
A
VCB = 30V
VEB = 3V
-
0.95
Base-emitter saturation voltage
VBE(sat)
0.65
-
0.85
V
-
0.3
IC/IB = 50mA/5mA
Collector-emitter saturation voltage
VCE(sat)
-
0.2
V
IC/IB = 10mA/1mA
IC/IB = 50mA/5mA
IC/IB = 10mA/1mA
30
-
60
-
DC current transfer ratio
hFE
100
-
300
-
70
-
40
-
VCE = 1V , IC = 0.1mA
VCE = 1V , IC = 1mA
VCE = 1V , IC = 10mA
VCE = 1V , IC = 50mA
VCE = 1V , IC = 100mA
Transition frequency
Collector output capacitance
fT
Cob
300
-
4
MHz
pF
VCE = 20V , IE =
10mA, f = 100MHz
VCB = 10V , f = 100kHz
Emitter input capacitance
Cib
-
8
pF
VEB = 0.5V , f = 100kHz
Delay time
td
-
35
ns
VCC = 3V , VBE(OFF) = 0.5V , IC = 10mA , IB1 = 1mA
Rise time
tr
-
35
ns
Storage time
tstg
-
200
ns
VCC = 3V , IC = 10mA , IB1 =
IB2 = 1mA
VCC = 3V , IC = 10mA , IB1 =
IB2 = 1mA
Fall time
tf
-
50
ns
~
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2N3904TF 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN 40V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
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