- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录55779 > 2N3904V 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR PDF资料下载
参数资料
| 型号： | 2N3904V |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | VSM, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2N3904V |
2003. 12. 12
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N3904V
EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR
Revision No : 0
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: ICEX=50nA(Max.), IBL=50nA(Max.)
@VCE=30V, VEB=3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=0.3V(Max.) @IC=50mA, IB=5mA.
Low Collector Output Capacitance
: Cob=4pF(Max.) @VCB=5V.
Complementary to 2N3906V.
MAXIMUM RATING (Ta=25 )
DIM MILLIMETERS
A
B
D
E
VSM
1.2 0.05
0.8 0.05
0.5 0.05
0.3 0.05
1.2 0.05
0.8 0.05
0.40
0.12 0.05
C
G
H
J
K
0.2 0.05
B
E
D
G
A
H
K
C
J
2
3
1
P
5
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
+_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
60
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
6
V
Collector Current
IC
200
mA
Base Current
IB
50
mA
Collector Power Dissipation
PC *
100
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55 150
Type Name
Marking
Z C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3904 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3904 | 100 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906AMO | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906U | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3913 | 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3904ZL1 | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3904ZL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors PNP |
| 2N3905_01 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:PNP General Purpose Amplifier |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。