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参数资料
| 型号： | 2N3905_D74Z |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | TO-92, 3 PIN |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 557K |
| 代理商： | 2N3905_D74Z |
Power Dissipation vs
Ambient Temperature
0
25
50
75
100
125
150
0
0.25
0.5
0.75
1
TEMPERATURE ( C)
P
-
PO
W
E
R
D
ISSI
P
A
TI
O
N
(
W
)
D
o
SOT-223
SOT-23
TO-92
Typical Characteristics (continued)
Noise Figure vs Frequency
0.1
1
10
100
0
1
2
3
4
5
6
f - FREQUENCY (kHz)
NF
-
NO
IS
E
F
IG
U
R
E
(
d
B)
I
= 100
A, R
= 200
C
V
= 5.0V
CE
S
I
= 100
A, R
= 2.0 k
C
S
I
= 1.0 mA, R
= 200
C
S
Noise Figure vs Source Resistance
0.1
1
10
100
0
2
4
6
8
10
12
R
- SOURCE RESISTANCE (
)
NF
-
NO
IS
E
F
IG
U
RE
(d
B)
k
I
= 100
A
C
V
= 5.0V
f = 1.0 kHz
CE
I
= 1.0 mA
C
S
Switching Times
vs Collector Current
1
10
100
1
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
T
IME
(n
S
)
I
= I
=
t r
t s
B1
C
B2
I c
10
t f
t d
Turn On and Turn Off Times
vs Collector Current
1
10
100
1
10
100
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
TI
M
E
(n
S
)
I
= I
=
t off
B1
B2
I c
10
t on
V
= 0.5V
BE(OFF)
t
I
=
on
t off
B1
I c
10
2N390
5
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| 2N3905TA | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TAR | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3905TF | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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