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参数资料
| 型号： | 2N3906-18 |
| 厂商： | MOTOROLA INC |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 150K |
| 代理商： | 2N3906-18 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3905-18 | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906-STYLE-B | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906-STYLE-G | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N4403-STYLE-H | 500 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 2N3906-STYLE-F | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3906A | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述: 制造商:Motorola Inc 功能描述: 制造商:Harris Corporation 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92 制造商:National Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92 制造商:Vishay Dale 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92 |
| 2N3906-A | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906AP | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92VAR 制造商:National Semiconductor Corporation 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92VAR 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-92VAR |
| 2N3906-AP | 功能描述:两极晶体管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906-AT | 制造商:KEC Corporation 功能描述:2N3906-AT |
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