型号: | 2N3906/D10Z-J14Z |
厂商: | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
元件分类: | 小信号晶体管 |
英文描述: | 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封装: | PLASTIC PACKAGE-3 |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 40K |
代理商: | 2N3906/D10Z-J14Z |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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2N3906DCSM | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | PNP | 40V V(BR)CEO | 200MA I(C) | LLCC |
2N3906E | 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR |
2N3906G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
2N3906-G | 功能描述:二极管 - 通用,功率,开关 -40V -200mA TO-92 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 产品:Switching Diodes 峰值反向电压:600 V 正向连续电流:200 A 最大浪涌电流:800 A 配置: 恢复时间:2000 ns 正向电压下降:1.25 V 最大反向漏泄电流:300 uA 最大功率耗散: 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:ISOTOP 封装:Tube |
2N3906G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |