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参数资料
| 型号： | 2N3906 |
| 厂商： | AUK Corp |
| 英文描述： | PNP Silicon Transistor (General small signal application Switching application) |
| 中文描述： | 进步党硅晶体管（一般小信号开关的应用程序） |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | 2N3906 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3906 | surface mount silicon Zener diodes |
| 2N3906 | PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2N3906 | SMALL SIGNAL TRANSISTORS PNP |
| 2N3934 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 50V V(BR)DSS | TO-71 |
| 2N5045 | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 8MA I(DSS) | TO-71 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3906 GE84-87 | 制造商:GE 功能描述:2N3906 |
| 2N3906 N | 制造商:N 功能描述:2N3906 |
| 2N3906 PBFREE | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| 2N3906(TE2,T) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R |
| 2N3906,116 | 功能描述:TRANS PNP SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路 系列:- 标准包装:1 系列:- 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大）:1A 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:30V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 电流 - 集电极截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 频率 - 转换:100MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:Digi-Reel® 其它名称:MMBT489LT1GOSDKR |
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