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参数资料
| 型号： | 2N3906RL1 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors |
| 中文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封装： | CASE 29-11, TO-226, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 191K |
| 代理商： | 2N3906RL1 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N3906RLRA | General Purpose Transistors |
| 2N3906 | PNP General Purpose Amplifier |
| 2N3906 | PNP General Purpose Amplifier |
| 2N3906 | PNP Silicon Transistor (General small signal application Switching application) |
| 2N3906 | surface mount silicon Zener diodes |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N3906RL1G | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906RLRA | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906RLRAG | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N3906RLRE | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| 2N3906RLRM | 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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