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参数资料
| 型号： | 2N3906S |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 2N3906S |
2005. 4. 21
1/4
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
2N3906S
EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR
Revision No : 3
GENERAL PURPOSE APPLICATION.
SWITCHING APPLICATION.
FEATURES
Low Leakage Current
: ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.)
@VCE=-30V, VEB=-3V.
Excellent DC Current Gain Linearity.
Low Saturation Voltage
: VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA.
Low Collector Output Capacitance
: Cob=4.5pF(Max.) @VCB=-5V.
Complementary to 2N3904S.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
DIM
MILLIMETERS
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
SOT-23
A
B
C
D
E
2.93 0.20
1.30+0.20/-0.15
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
G
1.90
H
J
K
L
M
N
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
M
J
K
E
1
2
3
H
G
A
N
C
B
D
1.30 MAX
LL
PP
P7
+_
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
-40
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
-40
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
-5
V
Collector Current
IC
-200
mA
Base Current
IB
-50
mA
Collector Power Dissipation
PC *
350
mW
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : * Package Mounted On 99.5% Alumina 10
8
0.6
)
Type Name
Marking
Lot No.
ZA
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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