参数资料
型号: 2N3906U
元件分类: 小信号晶体管
英文描述: 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封装: USM, 3 PIN
文件页数: 4/4页
文件大小: 50K
代理商: 2N3906U
2008. 8. 29
4/4
2N3906U
Revision No : 4
CAPACITANCE
C
(pF)
ob
-3
-1
-0.3
-0.1
REVERSE VOLTAGE V
(V)
CB
C
- V
, C
- V
V
- I
B
BASE CURRENT I
(mA)
-0.001
-0.1
-1
-10
CE
0
COLLECTOR-EMITTER
VOLTAGE
V
(V)
CE
B
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-0.01
COMMON
EMITTER
Ta=25 C
I
=1mA
C
I
=10mA C
CI
=30mA
CI
=100mA
ob
CB
ib
EB
C
(pF)
ib
V
(V)
EB
-10
-30
0.5
1
3
5
10
30
50
f=1MHz
Ta=25 C
C
ib
ob
相关PDF资料
PDF描述
2N3913 200 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N3919 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204AA
2N3922 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-71
2N3931 100 mA, 180 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39
2N3933 Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相关代理商/技术参数
参数描述
2N3906U_08 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:USM PACKAGE
2N3906V 制造商:KEC 制造商全称:KEC(Korea Electronics) 功能描述:VSM PACKAGE
2N3906ZL1 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3906ZL1G 功能描述:两极晶体管 - BJT 200mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
2N3907 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:SILICON DUAL DIFFERNTIAL AMPLIFIER TRANSISTORS