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参数资料
| 型号： | 2N4030 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 179K |
| 代理商： | 2N4030 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| 2N5416 | 1000 mA, 300 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2904A | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N3636 | 1000 mA, 175 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N2904 | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
| 2N5322 | 75 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-39 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| 2N4030_12 | 制造商:COMSET 制造商全称:Comset Semiconductor 功能描述:GENERAL PURPOSE AMPLIFIERS AND SWITCHES |
| 2N4031 | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal Transistors |
| 2N4032 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4033 | 功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Ampl/Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2N4033 W/GOLD | 功能描述:TRANS PNP 80V 1A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:* 零件状态:生命周期结束 标准包装:500 |
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